美晶片法案 擬設中國護欄條款

美晶片法案 擬設中國護欄條款
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綜合外媒報導,在中國急起直追的壓力下,延宕許久的「美國晶片法案」最快在美東時間19日進行表決,以推動撥款520億美元的半導體補助法案。美國白宮新聞秘書尚皮耶(Karine Jean-Pierre)18日表示,白宮贊成對半導體產業建立堅固護欄,「這些激勵措施是要讓業界在美國,而不是在中國投資生產更多的半導體。」

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知情人士透露,原先作爲最大阻力的共和黨正在轉變態度,預料很可能放行法案過關,參議院多數黨領袖舒默最快19日將進行程序投票,啓動法案辯論。

報導稱,儘管目前晶片法案還有諸多細節未經披露,但據瞭解,獲得美國政府補助的晶片企業,對中國市場的投資將受到限制,包括未來10年內不準在中國或其他受關注國家(如俄羅斯)投資建廠,但仍允許投資「成熟」(legacy) 製程,惟相關定義與條件尚不明確。

另據美媒取得的法案文本顯示,包括520億美元的補助款在內,多項措施已獲得兩黨支持,例如25%投資稅收抵減、5億美元國際安全通訊計劃、2億美元的員工訓練,以及15億美元的公共無線供應鏈創新資金等。

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在美方技術封鎖升溫、疫情期間全球「晶片荒」背景下,中國官方透過舉國體制與補貼衝刺半導體產業,並揚言要砸下人民幣10兆元發展第三代半導體。集微諮詢統計,中國大陸目前共有23座12吋晶圓廠投入生產,預計未來五年各地還將新增25座12吋晶圓廠。

中國動作之大,令美國朝野深感不安,Google前CEO施密特(Eric Schmidt)和哈佛大學教授艾利森(Graham Allison)日前聯合在華爾街日報撰文示警稱,中國可能在2025年取代臺灣,成爲全球最大晶片產地。雖然美國擬向晶片製造業投資520億美元,但這規模僅相當於中國投資額的三分之一。

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